随着生成式AI、大模型训练与推理能力的持续跃迁，全球算力基础设施正进入芯片方案 | 圣邦微90A集成检测DrMOS SGM25890赋能AI服务器电源革新新一轮密集建设周期。无论是AI服务器集群、高性能GPU算力卡，还是智算中心与边缘计算节点，其整体功耗规模与动态负载波动都在快速提升，传统电源架构正面临前所未有的压力与挑战。

在高算力密度场景下，核心处理器对供电系统的要求已从“稳定供电”升级为“极致供电能力”：不仅需要在极短时间内提供超大电流输出，还必须在毫伏级电压波动中保持高精度调节，同时兼顾高效率能量转换、快速瞬态响应以及长期高温高负载下的可靠运行能力。由此，大电流化、集成化、智能化与高可靠性，正成为新一代AI电源技术演进的核心方向。

针对AI算力领域供电技术升级需求，圣邦微电子重磅推出内置电流检测电路的90A高性能Smart Power Stage（DrMOS）——SGM25890，以面向AI场景的一体化先进电源解决方案，完善公司高性能功率器件产品矩阵，助力国产算力基础设施供电链路升级。

面向AI高性能供电场景打造的一体化DrMOS方案

SGM25890采用多Die合封（Co‑Packaged）集成技术，将Buck降压电路上管、下管与驱动控制单元一体化封装，通过外部3.3V三态PWM信号实现芯片精准调控。芯片内部功率管与驱动电路采用短路径布局，在保障高功率密度的基础上，优化开关时序、抑制开关振铃，有效降低高频工况下的电磁干扰与功率损耗。产品精准适配CPU、GPU、DDR内存等低压大电流供电场景，通过科学的上下管面积配比，在AI服务器核心供电、高密度多相稳压模块等应用中展现优异性能。

除高效功率输出能力外，SGM25890还集成高精度瞬时电流检测上报（IMON）、温度上报（TMON）功能，可实时向多相控制器反馈运行状态，支撑系统完成精细化功率管理与热管控；同时搭载逐周期过流保护（OCP）、过温保护（OTP）、上管短路检测（HSS）、VDRV欠压锁定（UVLO）等多重故障防护机制，搭配专属故障上报逻辑，从容应对极端工况，保障7×24小时不间断稳定运行。器件采用环保型TQFN‑5×6‑39L封装，工作温度覆盖‑40℃至+125℃宽温区间，适配服务器严苛的工业级应用环境。

作为面向AI高性能供电场景推出的Smart Power Stage产品，SGM25890不仅进一步提升了系统级供电效率与集成度，也为多相电源架构在高电流、高动态负载场景下的设计优化提供了更具竞争力的方案选择。

• 核心优势一：高效功率输出，适配AI大电流供电需求

SGM25890最大输出电流达90A，输入电压支持4.25V‑16V，输出电压范围0.225V‑5.5V，完美匹配AI服务器12V主供电架构。依托圣邦微电子自研的SGT-MOS技术，结合优化的多Die合封（Co-Packaged）工艺、科学合理的上下管面积分配，以及极致的死区时间与驱动速度优化，芯片在12V母线低压大电流场景下实现了优异的能效表现。

• 核心优势二：内置高精度检测，简化系统设计、提升管控精度

SGM25890搭载先进的电流镜方案，创新集成5μA/A比例转换的MOSFET电流上报（IMON）与8mV/℃斜率的温度上报（TMON）功能，无需额外外置采样电路，即可实现电流、温度的实时精准监测。其中，IMON可支持的电压范围为0.8V至2.35V，因此推荐的IREF（IMON的参考电压）使用范围为1.1V至1.9V，能够为多相控制器提供精准、稳定的运行数据支撑。

• 核心优势三：全维度故障防护，筑牢算力系统安全底座

SGM25890全面覆盖各类异常工况，具备逐周期过电流保护（OCP）、过温保护（OTP）、上管短路（HSS）检测以及VDRV欠压锁定（UVLO）等全维度保护功能。更为突出的是，芯片可通过TMON PIN与IMON PIN的不同电平组合，配合多相控制器完成故障上报，实现故障类型的精准识别与快速响应。

当前AI算力产业高速扩张，大电流、高集成、智能化已成为电源器件发展主流趋势。圣邦微电子SGM25890以90A大电流输出、内置检测、高可靠防护的核心特性，精准契合AI服务器、数据中心、高性能计算平台的供电升级需求，为国产算力基础设施提供优质功率器件选择，助力国产电源管理芯片在高端算力领域实现技术突破与规模化应用。