发布时间: 2025-06-27 行业新闻

全球存储芯片市场正经历一场深刻的变革。以三星、SK海力士、美光为代表的国外存储大厂，在内存技术迭代的浪潮中，对产品布局做出了重大调整，而这一变化也为国内厂商带来了新的机遇与挑战。

01、国外大厂停产DDR4，国内市场填补空缺

三星：2025年4月致函客户，针对DDR4模组2025年底进入产品寿命结束，最后订购日期在6月上旬。停止1y/1z纳米制程8GB LPDDR4生产；多款8GB/16GB DDR4 SODIMM或UDIMM模组等将进入停产，最后出货日期为12月10日。

美光：已向客户发出信件通知DDR4/LPDDR4将停产，预计未来2-3个季度陆续停止出货，主要针对PC及数据中心领域，仅保留车用/工业定制化产能。

SK海力士：DDR4产能占比从30%降至20%，大连工厂转产HBM。

至此，三家存储大厂均已宣布停产DDR4内存。究其根源，AI带来巨量的HBM和服务器DRAM增量需求，使得原厂倾注更多资源生产高附加值产品。而DDR4产品随着时间推移，边际利润越来越低，故而大型原厂选择撤出这一市场。

然而，在原厂撤出的同时，国内市场却呈现出不同景象。国内存储企业长鑫存储、福建晋华在DDR4内存市场上采取了积极的扩产策略，并大幅下调价格，这一举措使得国内厂商在DDR4市场份额得以快速提升，填补了国外大厂退出后留下的部分市场空缺。

国内厂商之所以还在专攻DDR4，主要是基于市场需求与自身技术发展阶段的考量。在市场需求端，尽管DDR5逐渐兴起，但DDR4在一些对成本较为敏感且性能要求相对不高的领域，例如部分消费级PC、低端笔记本电脑、工业控制、智能家居等，仍存在较大需求。从自身技术发展来看，国内厂商在DDR4领域经过多年耕耘，已经积累了一定的技术实力与产能优势。其通过对DDR4技术的持续优化，在产品性能和质量上也不断提升，能够满足市场对DDR4内存的品质要求，从而在DDR4市场竞争中占据一席之地。

而在技术研发方面，国内厂商在DDR4技术上也不断取得突破，逐步缩小与国际领先水平的差距。以兆易创新为例，公司通过自主研发与持续技术累积，已推出多款符合JEDEC标准的DDR4芯片产品，涵盖不同容量与频率规格，广泛应用于工业控制、安防监控、网络通信等。兆易创新在DDR4产品上持续提升数据传输速率、降低功耗，同时在兼容性与可靠性测试方面建立起成熟体系，已具备向下游客户大规模稳定供货的能力。

合肥长鑫作为国内DRAM制造领域的重要力量，也在DDR4技术上不断推进工艺演进。目前，长鑫基于19nm工艺节点的DDR4芯片已实现量产，产品性能可满足中高端市场需求。在制程微缩、芯片稳定性与产能扩展等方面，长鑫持续加码投入，逐步打破国外技术垄断。

此外，包括福建晋华、普冉半导体等新兴厂商也在积极布局DDR4相关产品开发，围绕特定行业需求打造差异化解决方案，加速产品落地。

02、海外厂商转向HBM/DDR5，多领域驱动发展

当国外大厂逐步停产DDR4时，它们将目光转向了HBM和DDR5市场，而这一转变背后，是多领域的强劲需求驱动。

数据中心作为AI应用的核心场景，对内存性能和容量提出了极高要求。随着人工智能技术的迅猛发展，无论是AI训练还是推理，都需要处理海量数据，这使得内存的带宽和容量成为系统效能的关键瓶颈。DDR5凭借高速率和大容量特性，能够有效提升数据处理速度；HBM则以其超高带宽，极大满足了AI服务器对数据快速读写的需求。

在PC和移动设备市场，随着AI技术的逐渐融入，对内存容量和性能的要求也在不断提高。例如更多AI PC的出货以及智能手机DRAM容量从8GB向16GB迈进，都促使市场对更高性能内存的需求增加。DDR5在PC和移动设备中的应用，能够提升设备的运行速度和多任务处理能力，为用户带来更流畅的使用体验。

汽车行业正朝着智能化、电动化方向发展，车载信息娱乐系统、自动驾驶辅助系统等对内存的性能和可靠性要求日益严苛。DDR5内存的高性能和低功耗特性，使其能够更好地适应汽车电子系统的需求；而HBM在一些高端自动驾驶计算平台中，也开始崭露头角，用于满足对海量数据快速处理的需求。

当然，海外主要厂商在DDR5和HBM产品技术发展方面也取得了显著进展。三星作为存储行业的领军企业，在DDR5和HBM技术上持续投入研发。其重点生产1a/1b纳米制程的DDR5和HBM3E，通过先进的制程工艺，提升产品性能和降低功耗。在HBM方面，三星不断优化HBM3E技术，提升其在AI服务器等领域的应用性能。

SK海力士同样在DDR5和HBM领域发力，其DDR4产能占比持续下降，重点聚焦企业级与AI市场。大连工厂转产HBM3E和LPDDR5X，且HBM产能已售罄。SK海力士计划2025年Q3量产HBM4，采用MR-MUF工艺，单颗容量达36GB，这将进一步推动AI服务器性能的提升，满足AI应用对内存更高的带宽和容量需求。

美光在DDR5和HBM产品布局上也毫不落后。公司在停止部分DDR4供应的同时，大力发展DDR5及HBM3E产品。美光的HBM产能每季度都在强劲提升，并且凭借低功耗技术优势，如正在量产且产能快速提升的HBM3E，比最强竞争对手的产品功耗低30%，在市场竞争中占据有利地位。同时，美光也是全球唯一一家能够非常快速量产LPDRAM，并将其应用于数据中心的公司，进一步巩固了其在高端内存市场的地位。

03、内存市场未来发展趋势

从市场趋势来看，DDR5取代DDR4成为主流已是必然。随着技术进步与产能提升，DDR5性价比持续走高，预计2025年渗透率突破65%，2026年达80%以上，其与DDR4的价格差也在不断缩小，加速了消费级市场的接纳进程。而HBM市场凭借AI应用的强劲需求，呈现爆发式增长，未来在AI服务器、高性能计算等领域的加持下需求还将持续高速增长。

对于国内厂商，尽管在DDR4市场有所收获，但面对内存行业快速的技术迭代，需加快向DDR5和HBM领域转型，从而缩小与国际大厂的技术差距，才能在未来内存市场竞争中抢占先机。