圣邦微升降压充电芯片SGM41574/5在快充逐渐成为标配的今天，电源管理芯片早已不只是“给电池充电”这么简单。更宽的输入电压、更高的充电电流、更复杂的适配器协议，以及对系统稳定性和热管理的更高要求，都在倒逼充电管理IC走向更高集成度与更强系统感知能力。
在这一背景下，圣邦微电子推出的SGM41574与SGM41575，是两款面向中高功率应用的高集成度升降压电池充电及系统电源路径管理芯片。器件内部集成四颗功率MOSFET，构成双向Buck-Boost变换拓扑，同时内置一颗用于系统与电池之间能量管理的MOSFET（BATFET），可在外部电源、系统负载与电池之间实现灵活、受控的功率分配。
基于升降压拓扑与NVDC充放电路径管理架构，SGM41574/SGM41575能够在输入电压高于、低于或接近电池电压的多种工况下，维持系统供电与电池充电的稳定运行。这一架构特别适合输入源多样、负载变化频繁的应用场景，如笔记本电脑、平板设备、无绳电动工具及清洁机器人等。
一、封装形式与引脚配置差异
从封装选择来看，SGM41574采用TQFN-4×4-29L封装，在散热能力、焊接可靠性以及大电流应用下的PCB设计容错性方面具备优势；SGM41575则采用WLCSP-2.97×3.37-56B封装，更有利于实现高功率密度与小型化系统设计。
在功能引脚方面，相较于SGM41574，SGM41575额外提供输入电源良好指示引脚nPG、充电电流检测输出引脚IBAT，以及用于检测电池负端电压的BATN引脚。这些引脚为系统状态监测、算法优化以及更精细的功率管理策略提供了额外支持。
二、参数配置的系统级灵活性
从参数配置可以看出，SGM41574/SGM41575覆盖了从输入、电池到系统输出的完整工作区间，既支持宽范围输入电压与多节电池组合，也提供了细粒度的电压、电流步进调节能力。这种高度可配置性，使器件能够在不同功率等级、不同电池规格及不同快充协议环境下灵活适配，同时通过输入电压、电流的动态功率管理机制，在保障系统稳定运行的前提下，充分释放充电性能与效率空间。
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输入电压范围：3.6V 至 24V；
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最高输入耐压：30V；
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支持电池节数：一至四节；
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电池充满电压：3V 至 18.8V，10mV 步进；
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充电效率：96%@VVBUS = 9V，VBAT = 8V，ICHG = 2A，fSW = 750kHz；
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支持轻载 PFM 模式和 OOA 功能；
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双输入电源通道管理；
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基于 BC1.2 协议自动识别适配器类型，支持 QC2.0 快充协议；
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提供 SDRV 驱动引脚支持储运模式；
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集成功率 MOSFET，电流检测与环路补偿；
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NVDC 充放电路径管理；
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输入电压、输入电流动态功率跟踪；
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I²C 通讯端口；
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集成 16 位 ADC 监测各电压、电流、结温等参数；
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过压、过流、过热、短路、充电安全计时等多重保护。
总体来看，SGM41574与SGM41575并非仅针对单一充电功能，而是面向系统级电源设计的综合解决方案。通过升降压拓扑结构、NVDC电源路径管理以及丰富的监测与配置接口，两款器件为工程师在功率密度、效率、热设计与系统可控性之间，提供了更具弹性的设计空间。
