据TrendForce统计，2023~2027年全球晶圆代工成熟制程（28nm及以上）及先进制程（16nm及以下）产能比重大约维持在7:3。由于中国大陆致力推动本地化生产，预估中国大陆成熟制程产能占比将从今年的29%，增长至2027年的33%，同期中国台湾成熟制程占比从49%降至42%。

在中国大陆企业中，中芯国际、华虹集团、合肥晶合集成扩产最积极，扩产将聚焦于驱动芯片（Driver IC）、CIS/ISP与功率半导体分立器件（Power Discrete）等特殊工艺。

机构认为，中国大陆成熟制程产能陆续开出，针对驱动芯片、CIS/ISP与功率半导体分立器件等本土化生产趋势将日渐明确，具备相似制程平台及产能的二、三线晶圆代工厂商可能面临客户流失风险与价格压力，如联电、力积电与世界先进等台企将首当其冲，技术进展和良率将是后续巩固产能的决胜点。

TrendForce预估，中国大陆通过积极推动海外及境内IC设计厂商投产或研发新品，目的为提高本土化生产的比例，但大幅扩产的结果可能造成全球成熟制程产能过剩，随之而来的将会是价格战。

扩产聚焦在Driver IC、CIS/ISP与Power Discrete等特殊工艺

Driver IC方面，主要采用HV（High Voltage）特殊工艺。近期各家企业聚焦40/28nm HV制程开发，目前市场制程技术较领先的业者是联电，其次是GlobalFoundries。不过，中芯国际28HV、合肥晶合集成40HV将先后于今年第四季、明年下半年进入量产阶段，并与其他晶圆代工业者的技术差距逐渐缩小；而制程能力与产能相当的竞争者如力积电，或暂无12英寸厂的世界先进、东部高科短期内将首当其冲。长期来看，这一趋势的发展或将对联电、格芯造成影响。

CIS/ISP方面，3D CIS结构包含逻辑层ISP与CIS感光层，主流制程大致以45/40nm为分水岭，逻辑层ISP制程将持续往更先进节点发展；CIS感光层与FSI/BSI CIS则以65/55nm及以上为主流。目前技术领先业者以台积电、联电、三星为主，但中芯国际、合肥晶合集成紧追其后，除持续追赶制程差距外，产能也受惠中国智能手机品牌OPPO、Vivo、小米等支撑，加上陆系CIS业者OmniVision、Galaxycore与SmartSens响应政府政策，陆续将订单移回中国大陆进行投产支撑。

Power Discrete（功率元件）方面，主要涵盖MOSFET与IGBT两种产品，世界先进、HHGrace深耕Power Discrete制程已久，制程平台及车规验证覆盖完整性皆较其他同业更高。而受惠于大陆电动车补贴政策以及铺设太阳能相关基础建设，陆系晶圆代工业者据此获得更多切入机会，包含主流代工厂HHGrace、中芯国际、合肥晶合集成、CanSemi在内的业者，加上本土小型的Power Discrete IDM、晶圆厂如GTA及CRMicro等均加入Power Discrete竞争行列。若大陆产能同时大量开出，将加剧全球Power Discrete代工竞争压力。